NBD-O1200-TS3-4ZD-PE 三温区PECVD系统

三温区PECVD系统，是一种先进的薄膜沉积技术，广泛应用于半导体工业、微电子、光电子、太阳能等领域。该系统通过射频电源将石英真空室内的气体转变为离子态，利用等离子体中的高能电子激活反应气体，使其在较低的温度下发生化学反应，从而在基材上沉积出所需的薄膜。

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三温区PECVD系统设备特点：

      1、温度控制精准：三温区设计使得系统能够实现更精准的温度控制，满足不同材料和工艺对温度的需求。通过三个PID温度控制器，可以分别控制不同区域的温度，确保整个沉积过程在理想的温度范围内进行。

  2、沉积速度快：相比传统的化学气相沉积（CVD）技术，PECVD系统具有更高的沉积速率。这主要得益于等离子体的作用，使得反应气体在较低的温度下就能发生化学反应，从而加快了沉积速度。

膜层均匀性好：通过射频电源的频率控制，可以精确调节所沉积薄膜的应力大小，从而保证膜层的均匀性和一致性。这种精确控制对于制备高质量、高性能的薄膜材料至关重要。

  3、操作稳定性高：三温区PECVD系统采用先进的真空系统和多通道质子混气系统，确保了系统的稳定性和可靠性。在长时间运行过程中，系统能够保持稳定的沉积速率和膜层质量，满足大规模生产的需求。

  4、应用广泛：该系统可广泛应用于生长纳米线、石墨烯及薄膜材料等领域。例如，在太阳能电池领域，PECVD技术被用于制备高质量的硅基薄膜太阳能电池；在微电子领域，PECVD技术被用于制备各种薄膜材料，如SiO2、SiNx等。
三温区PECVD系统配置参数：

规格型号①	NBD-O1200-TS3-4ZD-PE
名称①	CVD系统
供电电源	380V 50HZ
Tmax	1200℃
额定温度	1150℃
触摸屏尺寸	7"
温区尺寸	200+200+200mm（三温三控）
加热额定功率	9KW
传感器类型	K型热电偶
炉管材质及尺寸	石英管Φ80*1400mm
推荐升温速率	≤10/min
机械泵抽气速率	6立方米每小时 KF25
炉腔极限真空度	3~5Pa 配数显真空计
进气系统	四路质量流量控制器100sccm 200sccm 500sccm 500sccm
炉体外形尺寸	长1488*高1275*深760mm
规格型号②	RF-500W
名称②	等离子发生器
射频频率	13.56MHz
射频功率输出范围	0-500W可调
外形尺寸	长275mm×高380mm×深430mm
射频功率	500W

三温区PECVD系统服务支持：一年有限保修，提供终身支持
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