T1200-250T3 均温氧化扩散炉

均温氧化扩散炉应用于半导体器件、分立器件、光电子器件、电力电子器件、太阳能电池及大规模集成电路制造等领域对晶片进行扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺，可用于2-8英寸工艺尺寸。

河南诺巴迪材料科技有限公司是集研究､开发､制造､经营为一体的科技创新型企业，如今公司的产品已经遍布亚欧美，覆盖国内大多数实验室，成为受客户欢迎和信任的品牌之一。

均温氧化扩散炉设备特点：
1.温场均匀，恒温区长度及精度：300～1250mm  800~1200℃±1℃
2.具有强大的软件功能，NBD-101EP嵌入式操作系统，用户可以方便地修改工艺控制参数，并可随时显示各种工艺状态；配有故障自诊断软件； 
3.程序可以实现手/自动工作，在停电或中途停机后，再次启动可以根据工艺手动升温，节省工艺时间； 
4.具有多种工艺管路，可供用户方便选择； 
5.冷端检测环境温度进行温度补偿，避免环境温度变化，对炉膛温度产生影响，避免层间干扰； 
6.可存储多组PID参数供系统运行调用功能，具有多点温度补偿
7.气体流量采用数字化精确控制，采用模拟信号闭环控制，强弱电分开，各种数据交互采用标准总线，提高抗干扰能力，保证数据安全；气体打开具有缓启动功能； 
8.具有多种报警功能及安全保护功能；
9.恒温区自动调整，串级控制，可准确控制反应管的实际工艺温度； 
10.压力自动调整技术，将压力参数引入晶体硅氧化工艺，有效减小了尾部排风对工艺的干扰，减小由排风引起的工艺波动。
均温氧化扩散炉设备参数：

型号	T1200-250T3均温炉氧化扩散
可配工艺管外径	炉管外径152mm   适用于3＂；炉管外径252mm   适用于6＂； 炉管外径300mm   适用于8＂
温度控制范围	300~1150 ℃
恒温区长度及精度	300～1250mm（依客户要求定）  300~800 ℃±1.5℃, 800~1100 ℃±1℃
可控升降温速率	升温速率：≦15℃/min  降温速率≦5℃/min
加热区个数	3区，4区，5区，6区（依客户要求定）
送料方式	手动送料
冷却系统	水冷2-4Kgf/cm2，8L/min；＋上接排风冷≈25m3/min；

均温氧化扩散炉服务支持：一年有限保修，提供终身支持。
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